金籁一体成型电感BPS1412065W-R33M-T01经高通SM8550芯片验证通过

Qualcomm正式揭晓其年度旗舰行动运算平台Snapdragon 8 Gen 2，确定以台积电第二代4nm制程打造，并且采用 Arm Cortex-X3半客制化CPU设计，对应硬件等级即时光影追迹，最高运作频率达3.2GHz。

Snapdragon 8 Gen 2运算平台一样采用64位架构的Kryo CPU，其中在主核 (Prime core)部分采Arm Cortex-X3半客制化设计，运作频率可达.2GHz，另外4组效能核心则采2.8GHz运作频率，预期也是采用Cortex-A715 CPU设计，而节能核心则是采用Arm升级款Cortex-A510 CPU设计，但数量则是减少为3组，运作频率为2.0GHz。

Snapdragon 8 Gen 2运算平台也支持完整5G连网能力与蓝牙5.3技术规格，分别对应容量可达16GB的LPDDR5-4200内存与UFS 4.0储存组件，更可对应Qualcomm 3D Sonic Sensor与3D Sonic Max超音波指纹识别技术，充电功能更支持Qualcomm Quick Charge 5快充技术。

Qualcomm也强调Snapdragon 8 Gen 2运算平台将完整兼容Epic Game旗下Unreal Engine 5游戏引擎，因此将能对应新一代游戏显示运算效果表现，甚至可以藉由Metahuman技术诠释更拟真的人像互动表现。

至于在新一代Snapdragon AIE人工智能引擎运作下，Snapdragon 8 Gen 2运算平台相比前一代产品可发挥4.35倍的人工智能运算效能，同时也是第一款支持INT4全精度运算与微分块推论运算 (Micro Tile Inferencing)的Snapdragon行动运算平台，在每瓦运算效能更提升高达60%，并且对应更深层的人工智能运算表现。

金籁一体成型電感BPS1412065W-R33M-T01尽管尺寸小巧，仍涵盖了传统压模电感的所有优点，例如卓越的 EMI 屏蔽、高功率密度、低铁芯损耗。这可在电子电路中确保更高的讯号完整性、空间效率、增强型能效。

特点:

•   1.4 mm x 1.2 mm x 0.65mm(hight)封装尺寸

•   压模结构

•   最大高度低至 0.65 mm

•   工作温度范围：-40°C 至 +125°C

•   低DCR,耐大电流,低损耗工艺先进

•   金属合金粉末

金籁科技一体成型电感规格